SC200T 高真空磁控溅射镀膜仪

SC200T高真空磁控溅射镀膜仪是一款集成涡轮分子泵的高真空型桌面镀膜设备,采用一体成型金属真空室,极限真空度优于5×10⁻³Pa,可制备更高纯度、更致密的导电薄膜。设备主要用于材料研究、工艺改进、薄膜太阳能电池、半导体材料等领域,可制备各种金属及导电材料薄膜。

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产品概述

SC200T高真空磁控溅射镀膜仪是一款集成涡轮分子泵的高真空型桌面镀膜设备,采用一体成型金属真空室,极限真空度优于5×10⁻³Pa,可制备更高纯度、更致密的导电薄膜。设备主要用于材料研究、工艺改进、薄膜太阳能电池、半导体材料等领域,可制备各种金属及导电材料薄膜。

设备配备7英寸彩色触摸屏,内置常用靶材参数可一键调用,支持一键式全自动操作。配备防污染系统与自动预溅射挡板,有效提高样品镀膜效果。溅射电流1-200mA连续可调,镀膜时间最长可达10小时,满足从薄导电膜到较厚功能膜的多种制备需求。一体加工金属样品仓容积更大,样品台直径120mm,可同时插入35SEM标准样品台,适合批量制样。

核心优势

·         高真空性能:一体成型真空室,极限真空优于5×10⁻³Pa,满足大部分场景需求

·         一键式全自动操作:自动完成抽真空、通工作气体、预溅射、设定样品台至指定位置及转速、启动镀膜、破真空等全过程

·         内置靶材参数:常用靶材参数一键调用,方便快捷

·         防污染系统:配备防污染系统及内置预溅射挡板(自动开启与关闭),提高样品镀膜效果

·         样品温升少:镀膜过程样品温升少,适用范围更广

·         大容量样品台:直径120mm,可插入35SEM标准样品台,支持批量制样

·         多功能样品台:支持升降、旋转,可选配倾斜功能

·         宽范围参数调节:溅射电流1-200mA,镀膜时间1s-10h连续可调

技术参数

镀膜功能

溅射电流

1-200mA,连续可调,步长1mA,工作过程可随时调整并实时生效

溅射时间

1s-10h,连续可调,步长1s,工作过程可随时调整并实时生效

靶材直径

50mm,支持0.1~2mm厚度

靶材种类

支持所有金属等导电靶材

工作压强

0.3-1Pa,根据不同靶材情况自动调节

工作气体

氩气,纯度99.99%,减压阀输入压力:1~3大气压

氩气接口

4mm快插接口

破真空气体

氩气、氮气或空气,减压阀输入压力:1~3大气压

破真空接口

4mm快插接口

其他

内置预溅射挡板,自动开启与关闭

真空系统

真空泵

旋片式机械泵(外置)+涡轮分子泵(内置,90L/s

真空测量

全量程复合真空计

极限真空度

≤5×10⁻³Pa

样品仓

材质

一体加工金属样品仓

仓内尺寸

170(L)×150(H)×163.5(D)mm

样品台

样品台直径

120mm,可插入35SEM标准样品台

支持升降、旋转

高度可调、转速可调

可选配倾斜功能

倾斜角度可调

电气参数及环境要求

电压

220V, 50Hz

功率

≤1500W(镀膜部分1000W,冷水机500W)

工作温度

15-30℃

存储温度

5-40℃

环境湿度

≤80%(建议≤50%)

 

应用领域

·         扫描电子显微镜(SEM)高分辨率导电膜制备

·         材料科学研究、薄膜工艺改进与开发

·         薄膜太阳能电池、半导体材料的薄膜制备

·         金属及导电材料薄膜的基础研究与小批量制备

·         高校、科研院所及企业研发实验室的日常制样

操作控制

·         7英寸彩色触摸屏控制,设置及操作界面简洁易用

·         一键式操作、全自动控制,参数设置完毕后点击"一键镀膜",设备自动完成抽真空、通工作气体、预溅射、设定样品台至指定位置及转速、启动镀膜、破真空等全部操作

·         实时显示靶材使用时间、设备使用时间,实时显示工作电流、电压和真空度

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